Будущий Samsung Galaxy S26 Ultra обещает стать настоящим монстром по производительности, смещая акцент с ИИ-фишек прошлогодней линейки S25 на чистую скорость и энергоэффективность. Свежая утечка сообщает, что в 2026 году флагман получит память Micron LPDDR5X с частотой 10,7 Гбит/с (против 9,6 Гбит/с у S25 Ultra) и мощный чипсет Snapdragon 8 Elite 2.
Скачок в скорости обеспечен новой архитектурой DRAM 1γ (1-gamma) от Micron, которая даёт не только более высокую пропускную способность, но и заметно улучшает энергопотребление по сравнению с прошлым поколением 1β (1-beta). Для простых задач разница может быть неочевидна, но в тяжёлых сценариях — от игр до продвинутых ИИ-функций — система станет стабильнее и отзывчивее.
По слухам, смартфон также получит более тонкий и лёгкий корпус и улучшенную оптику. Но главное — стремление совместить мощность с лучшей автономностью, чего так ждут владельцы флагманов. Правда, хватит ли этого, чтобы дожить до вечера без зарядки, пока не ясно.
Опыт Samsung с ресурсожрущими функциями вроде DeX, который так и не стал массовым, заставляет некоторых фанатов сомневаться. Однако комбинация топового железа и амбиций в сфере ИИ может вывести S26 Ultra на новый уровень. На фоне конкурентов, активно наращивающих память и скорость накопителей, корейский гигант явно не собирается сдавать позиции.