Неожиданная утечка из Geekbench раскрыла характеристики грядущего Galaxy S26 Edge — и, похоже, смартфон получит новый флагманский чип Snapdragon 8 Elite 2 от Qualcomm. Пока все обсуждали ёмкость батареи, этот тест намекнул: главное тут — мощь процессора.
Модель с индексом SM-S947U (скорее всего, американская версия) уже в предсерийном варианте показала впечатляющие цифры. Snapdragon 8 Elite 2 получил восемь ядер: два “прайм” на 4,74 ГГц и шесть производительных на 3,63 ГГц — это выше, чем у прошлогоднего Elite с его 4,32 ГГц и 3,53 ГГц. Ранее ходили слухи, что обычная версия будет на 4,6 ГГц, а “галактическая” — на 4,74 ГГц, и теперь это подтверждается.
В тестах Geekbench S26 Edge набрал 3 393 балла в одноядерном режиме и 11 515 в многоядерном — прирост примерно 8% по одному ядру и 22% по нескольким относительно S25 Edge. И это ещё не финальная версия, так что окончательные результаты могут быть выше.
Да, это уже почти карманный суперкомпьютер, но не все уверены, что тонкий корпус выдержит такую частоту без перегрева и просадки автономности. Для кого-то слово “Edge” вызывает тёплые воспоминания о старых моделях, а кто-то уже привык, что это значит: красиво, но мало батареи и никакого нормального охлаждения. Тем не менее для геймеров и тяжёлых приложений такие цифры выглядят крайне заманчиво.
Snapdragon 8 Elite 2 представят уже в следующем месяце. Если утечка верна, Galaxy S26 Edge вполне может стать самым быстрым (и, возможно, самым горячим) смартфоном 2025 года.