ISSCC 2026: GDDR7 48 Гбит/с, LPDDR6 и HBM4 36 ГБ выводят память на новый уровень
В феврале 2026 года в Сан-Франциско пройдёт конференция IEEE ISSCC 2026 – главный технофорум для разработчиков микросхем, где обычно показывают не готовые продукты, а то, что через несколько лет станет основой видеокарт, смартфонов, ноутбуков и ИИ-акселераторов. В течение пяти насыщенных дней инженеры из ведущих компаний и университетов будут разбирать реальные кристаллы, схемотехнику и методы, которые двигают индустрию вперёд. И в этот раз в центре внимания окажется память: от сверхбыстрой GDDR7 до энергоэффективной LPDDR6 и гигантских стеков HBM4.
ISSCC традиционно называют «олимпиадой полупроводниковой отрасли». Программа охватывает практически все блоки современных чипов: вычислительные процессоры, носимые и биомедицинские системы, аналоговые усилители, суб-ТГц и миллиметровые радиотракты, приёмники от гигагерц до терагерц, датчики изображения, высокоскоростные трансиверы для связи кристалл-кристалл, беспроводную передачу энергии, АЦП и ЦАП, частотные синтезаторы, схемы для ИИ и схемы, проектируемые с помощью ИИ. Есть секции по оптическим передатчикам следующего поколения, по дисплеям, по аппаратной безопасности, по схемам для экстремальных условий и по вычислениям в памяти. Но один блок стабильно собирает максимум внимания – сессии по DRAM и интерфейсам памяти.
В разделе DRAM, SRAM и энергонезависимых памяти на ISSCC 2026 заявлены сразу несколько докладов, задающих тон на ближайшие годы. Там будет всё главное: высокоскоростная GDDR7 для игровых и профессиональных GPU, свежий стандарт LPDDR6 для мобильных устройств и тонких ноутбуков, а также HBM4 – многослойная память с колоссальной пропускной способностью для ИИ и HPC. Для конечного пользователя это ещё не маркетинговые промо-слайды, а честный технический разбор того, что уже сейчас работает в кремнии и на каких режимах.
GDDR7 от SK hynix: рывок к 48 Гбит/с
В сегменте графической памяти SK hynix готовит один из самых амбициозных докладов. Компания представит реализацию GDDR7, работающую на скорости до 48 Гбит/с на вывод при плотности кристалла 24 Гбит. Такая ёмкость соответствует 3 ГБ памяти на один чип – серьёзный шаг вперёд, учитывая, что в топовых видеокартах обычно устанавливается двенадцать и более таких микросхем вдоль 384-битной шины.
Ранее в публичных дорожных картах GDDR7 фигурировали цифры до 40 Гбит/с и те же 24 Гбит по плотности. Поэтому выход на 48 Гбит/с – это фактически демонстрация предельных возможностей стандарта. В докладе SK hynix делает упор на симметричную двухканальную архитектуру, оптимизацию трактов тактирования и расширенные функции RAS (надёжность, доступность и обслуживаемость), которые становятся критичными, когда интерфейс работает на столь экстремальных скоростях.
Если перейти от теории к цифрам, скачок выглядит впечатляюще. Ускоренные чипы GDDR6 и GDDR6X сегодня обычно работают в районе 21–28 Гбит/с на вывод. При 28 Гбит/с один 32-битный чип GDDR6 выдаёт порядка 112 ГБ/с. Для новой GDDR7 от SK hynix, работающей на 48 Гбит/с, речь идёт уже примерно о 192 ГБ/с на один чип – это более чем 70-процентный рост пропускной способности. Умножаем это на двенадцать микросхем в типичной 384-битной конфигурации – и получаем систему с суммарной полосой пропускания, измеряемой уже в нескольких терабайтах в секунду.
Важно понимать, что такие режимы – это не обещание «завтра в магазине», а скорее демонстрация потолка стандарта. Коммерческие видеокарты с GDDR7, скорее всего, начнут с более консервативных частот, а до 48 Гбит/с доберутся лишь самые топовые решения следующих поколений – условные наследники GeForce RTX 4090 и будущих флагманов серии GeForce RTX 50. Но сам факт успешной работы кристалла на таких скоростях задаёт вектор развития для всей линейки GPU на ближайшие годы.
От GDDR5X до GDDR7: эволюция графической памяти
Чтобы оценить масштаб скачка, полезно вспомнить, как менялась графическая память за последнее десятилетие. Эпоха GDDR5X вывела массовые видеокарты в область двузначных скоростей – около 10–12 Гбит/с. Переход к GDDR6 и затем к GDDR6X поднял планку до 14–16 и далее к 19–21 Гбит/с, что позволило таким картам, как GeForce GTX 1080 Ti и GeForce RTX 2080 Ti, а затем GeForce RTX 4090, получить сотни гигабайт в секунду пропускной способности. Параллельно появлялись экспериментальные решения вроде GDDR6W с расширенными корпусами и многоуровневым размещением кристаллов, однако самые высокие теоретические цифры так и не стали стандартом для массового рынка.
GDDR7 продолжает эту линию развития, но делает акцент сразу на двух направлениях – на скорости и на плотности. В типичной 384-битной конфигурации с двенадцатью 32-битными чипами можно получить несколько сценариев:
- С чипами GDDR6/GDDR6X прошлых поколений такие карты часто ограничивались 10–12 ГБ кадрового буфера при системной пропускной способности в районе 500–700 ГБ/с.
- С более свежими микросхемами на 19–21 Гбит/с стали реальны 12–24 ГБ памяти и полоса пропускания около 900–1000+ ГБ/с.
- С GDDR7 плотностью 24 Гбит те же 12 микросхем уже дают 36 ГБ кадрового буфера, а при работе в диапазоне от высоких 20-х до 40+ Гбит/с суммарная скорость системы уходит в диапазон от примерно 1,5 до 2,3 ТБ/с.
Для игр это означает заметно более плавный рендеринг на 4K и выше, больше пространства для высокодетализированных текстур, трассировки лучей и ИИ-эффектов, а также комфортную работу с тяжёлыми сценами в 3D-редакторах и видеомонтажных проектах. Чем сложнее физика, освещение и разрешение, тем важнее объём и скорость внешней памяти, и в этом смысле GDDR7 становится ключевым кирпичиком будущих игровых и профессиональных GPU.
LPDDR6: новая база для смартфонов и тонких ноутбуков
Графическая память – лишь одна часть пазла. SK hynix также привезёт на ISSCC 2026 работу по LPDDR6 – следующему поколению низковольтной памяти, которая ставится в смартфоны, планшеты, ультратонкие ноутбуки и всё чаще в компактные ИИ-ПК. В докладе описывается LPDDR6 SDRAM техпроцесса 1cnm с пиковой скоростью до 14,4 Гбит/с на вывод и плотностью 16 Гбит на кристалл. Обозначение 1cnm говорит о крайне продвинутом узле производства, позволяющем снижать напряжение и утечки и одновременно разгонять интерфейс.
Стандарты семейства LPDDR традиционно ищут баланс между шириной шины, частотой и энергопотреблением. Увеличение скорости на вывод позволяет системам-на-кристалле эффективнее питать CPU, GPU и NPU, не превращая пакет в монстра с огромным количеством линий. При 14,4 Гбит/с даже относительно узкие интерфейсы, характерные для мобильных SoC, обеспечивают серьёзную полосу пропускания. Это даёт запас для более продвинутых алгоритмов обработки фото и видео, для высокочастотных дисплеев, локальных ИИ-сценариев и тяжёлого многозадачного режима, не убивая при этом автономность.
Свою версию LPDDR6 на ISSCC покажет и Samsung. В её работе рассказывается о микросхемах на 12,8 Гбит/с при той же ёмкости 16 Гбит. Формально скорость ниже, чем в решении SK hynix, но всё равно это заметный шаг вперёд по сравнению с LPDDR5X. Появление двух сильных игроков в этом сегменте ясно показывает: LPDDR6 станет ключевой памятью не только для смартфонов, но и для тонких ноутбуков, ориентированных на ИИ, «всегда включённых» устройств и природно тихих и холодных систем.
HBM4 от Samsung: 36 ГБ и 3,3 ТБ/с на стек
Третий крупный герой ISSCC 2026 – это HBM4, высокоскоростная память с вертикальной компоновкой кристаллов, которая уже стала стандартом де-факто в тяжёлых ИИ-и HPC-ускорителях. Samsung представит доклад о стеке HBM4 ёмкостью 36 ГБ, собранном по схеме 12-Hi (двенадцать кристаллов DRAM, уложенных друг на друга). Заявленная пропускная способность достигает примерно 3,3 ТБ/с на один стек – раньше подобные цифры были пределом для всей видеокарты поколения GDDR6, а теперь это скорость одного «столбика» памяти рядом с чипом.
Секрет HBM в архитектуре: вместо того чтобы разгонять десятки выводов до экстремальных частот, память использует тысячи относительно медленных линий, соединённых через сквозные переходы (TSV) и силиконовый интерпозер. Такой подход позволяет одновременно получить сверхширокую шину и сохранить приемлемую энергоэффективность на бит. HBM4 продолжает эту философию, подстраиваясь под запросы новых ИИ-акселераторов, в том числе будущих решений NVIDIA семейства Vera Rubin, для которых критичны и объём, и полоса пропускания.
Стек на 36 ГБ означает, что плата с несколькими HBM4-модулями вполне может иметь более 100 ГБ памяти с общей скоростью обмена в десятки терабайт в секунду. Для больших языковых моделей, рекомендательных систем, симуляций и генеративных задач такая полоса пропускания порой важнее «сырых» терафлопс. Доклад Samsung на ISSCC, по сути, показывает, какой памяти будут требовать ИИ-кластеры нового поколения – уже после текущей волны решений на HBM3 и HBM3E.
Память, интерфейсы и ИИ: как ISSCC 2026 собирает картину целиком
Хотя громкие заголовки достаются в первую очередь GDDR7, LPDDR6 и HBM4, программа ISSCC 2026 наглядно показывает, что память – лишь часть большой экосистемы. На соседних сессиях обсуждают высокоскоростные электрические трансиверы для связи кристалл-кристалл и кристалл-плата, необычные оптические передатчики для связи между серверами и стойками, схемы для ИИ-ускорителей и даже ИИ-модели, применяемые для оптимизации самих схем и топологий.
Отдельные треки посвящены нейронным и биомедицинским интерфейсам, сенсорным преобразователям, схемам для экстремальных температур, источникам энергоcъёма и зарядным устройствам. На первый взгляд это далекие от GDDR7 темы, но все они упираются в те же фундаментальные вопросы: как передать и обработать максимум данных при разумном энергопотреблении и как сохранить надёжность в условиях всё более сложных систем. В совокупности эти исследования формируют фундамент, на котором будут стоять будущие GPU, CPU, ИИ-ускорители, носимая электроника и устройства на границе сети.
Что это значит для геймеров, создателей контента и ИИ-индустрии
Если перевести разговор с языка графиков и частот на понятный конечному пользователю, картина выглядит так. GDDR7 с плотными и быстрыми кристаллами обеспечит будущим видеокартам более высокие FPS в 4K и выше, более стабильную работу с трассировкой лучей, больший запас по качеству текстур и сложности сцен. Для создателей контента это возможность держать на таймлайне больше 4K/8K-видео, весомые 3D-проекты и тяжёлые сцены без постоянной борьбы за свободные гигабайты памяти.
LPDDR6 станет тихим героем смартфонов и ультрабуков: благодаря более высокой полосе пропускания и меньшему энергопотреблению устройства получат более отзывчивый интерфейс, более мощные локальные ИИ-функции (от обработки фото до перевода и ассистентов), а также поддержку дисплеев с высокой частотой обновления без драматического удара по аккумулятору. HBM4 в свою очередь будет работать где-то далеко в стойках дата-центров, помогая обучать и обслуживать всё более сложные модели, которые лежат в основе современных ИИ-сервисов.
ISSCC редко попадает в заголовки массовых медиа, но именно здесь индустрия показывает, насколько далеко может зайти, опираясь на реальные кремниевые прототипы. Работы по GDDR7, LPDDR6 и HBM4, которые будут представлены в феврале 2026 года, ясно дают понять: память в ближайшие годы перестанет быть главным ограничителем для топовых GPU, ИИ-акселераторов и мобильных SoC. А значит, самое интересное в играх, креативных приложениях и ИИ-вычислениях у нас ещё впереди.