SK hynix представила новое поколение мобильной памяти DRAM, которое способно решить одну из самых больных проблем смартфонов — перегрев при работе с ИИ и играми. Компания первой в отрасли применила High-K Epoxy Molding Compound с добавлением окиси алюминия, что позволило увеличить теплопроводность в 3,5 раза и снизить сопротивление отводу тепла почти наполовину.
Сегодня производители обычно размещают DRAM прямо над чипсетом, чтобы сэкономить место и ускорить обмен данными. Но при высокой нагрузке такая конструкция часто перегревается, из-за чего телефон начинает «тормозить». Новый материал SK hynix снимает эту проблему: смартфоны смогут работать дольше, быстрее и стабильнее без троттлинга.
По словам главы подразделения разработки упаковочных решений Ли Гю-джэ, это не просто повышение производительности: «Это значимый результат, который устраняет реальные неудобства пользователей флагманских смартфонов. Мы уверенно закрепляем лидерство на рынке мобильной DRAM нового поколения».
Хотя точные сроки выхода не названы, аналитики прогнозируют, что первые смартфоны с этой памятью появятся уже к 2026 году. С учётом роста спроса на ИИ-функции, это может стать одним из важнейших аппаратных апгрейдов ближайших лет.