SK hynix официально стал первым производителем памяти, внедрившим в промышленное производство систему High-NA EUV от ASML. Установка флагманского сканера TWINSCAN EXE:5200B на фабрике M16 в Ичхоне (Южная Корея) выводит компанию в лидеры технологической гонки, оставив позади даже таких гигантов, как Samsung и TSMC.
Главная ценность High-NA EUV — в резком увеличении разрешающей способности. Новый инструмент повышает числовую апертуру с 0,33 до 0,55, позволяя формировать транзисторы в 1,7 раза меньшего размера и достигать плотности элементов почти в три раза выше по сравнению с нынешними EUV-системами. Для рынка DRAM это означает возможность создавать более ёмкие и быстрые чипы в том же корпусе и снижать себестоимость каждого бита.
Для SK hynix это не просто шаг в будущее, а стратегический прорыв. Компания укрепила позиции на рынке премиальной памяти, активно сотрудничая с NVIDIA и AMD, которые нуждаются в высокопроизводительных решениях для ИИ и серверов. Внедрение High-NA позволит сократить количество сложных этапов литографии, ускорить разработку новых поколений DRAM и добиться лучших показателей по скорости и энергоэффективности.
Стоит подчеркнуть и символический эффект. Долгое время производители памяти полагались на архитектурные трюки и материалы, а литография шла лишь в поддержку. High-NA меняет баланс — именно оптика становится ключевым фактором роста. Получив доступ к новейшей системе раньше конкурентов, SK hynix не только усилил имидж технологического лидера, но и стал партнёром ASML в тонкой настройке процессов, материалов и дизайна чипов.
Рынок воспринял это событие как тревожный сигнал для Samsung, которая десятилетиями диктовала правила в DRAM. Аналогии с противостоянием TSMC и Intel напрашиваются сами собой: кто первым освоил новый литографический уровень, тот задаёт темп целой индустрии. И хотя память и логика имеют разные правила игры, сходство очевидно: преимущество в литографии напрямую конвертируется в рыночные доли.
Что касается TSMC и 2-нм техпроцесса, именно с этим уровнем обычно связывают необходимость High-NA EUV. Но в памяти технология раскрывается раньше: уменьшение размеров ячеек, повышение однородности и преодоление «барьера слоёв» делают High-NA особенно полезной уже сейчас.
Разумеется, вместе с плюсами есть и вызовы: вопросы стабильности пелликул, шероховатости линий, а также снижения производительности из-за более высокой кратности увеличения. Интеграция такого инструмента в массовое производство требует точнейшего контроля процессов и развитой метрологии. Но именно поэтому лидерство в ранней эксплуатации имеет особую ценность: каждая отработанная пластина даёт опыт, который конкуренты пока только догоняют.
В перспективе потребители получат более ёмкие, быстрые и энергоэффективные модули DRAM, а снижение стоимости за бит сделает память доступнее. В эпоху, когда ИИ и высокопроизводительные вычисления формируют спрос, технологический рывок SK hynix может перераспределить силы на глобальном рынке.