SK hynix готовит серьёзный рывок в производстве DRAM — компания планирует перевести выпуск 1c DRAM на шесть слоёв литографии EUV, что станет новым рекордом для отрасли и позволит обойти конкурентов вроде Samsung. Этот шаг создаёт базу для внедрения следующего поколения — технологии High-NA EUV.
По данным ZDNet Korea, полный переход на шесть слоёв EUV задаст новые стандарты для модулей DDR5 и высокоскоростной памяти HBM. Литография EUV с длиной волны 13,5 нм позволяет формировать сверхточные элементы схем, сокращая количество шагов многократного паттернинга. Раньше DRAM сочетала EUV и DUV-слои, но теперь SK hynix делает ставку только на EUV для 1c DRAM, чтобы добиться более высоких выходов, лучшей производительности и увеличения прибыли.
Пока 1c DRAM не применяется в обычной потребительской памяти, но компания уже рассматривает варианты, включая более ёмкие и быстрые модули DDR5. В долгосрочной перспективе SK hynix планирует интегрировать EUV в будущие поколения 1d и 0a DRAM, что позволит перейти на High-NA EUV. Это откроет путь к более плотным, быстрым и энергоэффективным решениям.
Ожидается, что 1c DRAM впервые массово появится в HBM4, обеспечив заметный прирост производительности для ИИ, дата-центров и высокопроизводительных вычислений. По сути, расширение EUV у SK hynix — это не просто ответ конкурентам, а попытка переформатировать весь рынок DRAM.