Samsung Galaxy S26 Ultra обещает стать не просто очередным обновлением, а серьёзным скачком вперёд по скорости и энергоэффективности. Авторитетный инсайдер Ice Universe сообщил, что флагман получит передовую оперативную память LPDDR5X с рекордной скоростью до 10,7 гигабит в секунду (Гбит/с). Производителем чипов, по данным утечки, станет Micron, использующий современный техпроцесс 1γ (1-гамма).
Для сравнения, нынешний Galaxy S25 Ultra — как и большинство топовых Android-смартфонов на платформе Snapdragon Elite — оснащён LPDDR5X по более старому техпроцессу Micron 1β (1-бета) со скоростью до 9,6 Гбит/с. Новая версия не только быстрее, но и экономичнее: энергопотребление снижено примерно на 20%, что даст S26 Ultra больше времени работы без подзарядки.
Micron заявляет, что 1γ LPDDR5X — самая быстрая мобильная память в индустрии, идеально подходящая для задач с искусственным интеллектом и тяжёлых приложений, обеспечивая мгновенный отклик и быструю обработку данных. Толщина модуля всего 0,61 мм — это освобождает место для более ёмкой батареи, крупного сенсора камеры или других улучшений.
Ходят слухи, что Samsung также может применить собственные чипы LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с, произведённые по 12-нм техпроцессу. В прошлом году компания частично использовала память Micron из-за проблем с нагревом, но их, по слухам, уже устранили. Летние отчёты указывают, что для серии S26 тестировались модули Micron, так что пользователи получат высокую производительность вне зависимости от поставщика.
Помимо ускоренной памяти, Galaxy S26 Ultra, как ожидается, получит доработанный и более тонкий корпус. С учётом успеха Galaxy S25 Ultra, улучшения в скорости, автономности и дизайне могут сделать S26 Ultra одной из самых удачных моделей Samsung.