Samsung готовит революционную технологию терморегуляции для процессора Exynos 2600. В данный момент он находится на стадии прототипирования, и новый флагманский чип будет оснащён технологией «Heat Pass Block» (HPB), которая поможет решить одну из самых больших проблем мобильных процессоров — перегрев.

Exynos 2600 создаётся с использованием 2-нм GAA (Gate-All-Around) технологии, которая обещает значительные улучшения в производительности и эффективности. Проблемы с перегревом Exynos сохранялись и ранее, несмотря на использование паровых камер, однако с внедрением HPB Samsung собирается значительно улучшить теплопередачу, обеспечив оптимальную работу чипа даже при высокой нагрузке.
Ранее DRAM располагалась непосредственно поверх SoC. Для Exynos 2600 HPB и DRAM будут находиться прямо над чипом, при этом HPB будет выполнять роль теплоотводящего радиатора, улучшая передачу тепла. Это решение должно значительно снизить температуру, что позволит чипу работать на максимальной мощности.
Кроме того, Samsung использует свою технологию Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP), которая впервые была применена в Exynos 2400. Эта упаковка улучшит тепловое сопротивление и поможет Exynos 2600 оставаться конкурентоспособным по сравнению с Snapdragon 8 Elite Gen 2 и Dimensity 9500. Это особенно важно, так как недавние утечки из Geekbench 6 показали, что максимальная частота ядра Exynos 2600 составляет 3,55 ГГц, что несколько уступает Cortex-X925 в Dimensity 9400+.
Внедрение HPB и FOWLP позволит Exynos 2600 разогнаться до более высоких частот, улучшив как одноядерную, так и многозадачную производительность, при этом контролируя температуру. Ведь перегрев — это не только ухудшение производительности, но и риск повреждения батареи или её взрыва. Новое решение является важным шагом в решении этих проблем и в обеспечении стабильной работы чипа.
Если Samsung удастся наладить производственные процессы с 2-нм GAA, Exynos 2600 может быть представлен уже в конце этого года, что идеально совпадает с анонсом новой серии Galaxy S26 в начале 2026 года.