Samsung завершила базовый дизайн своего второго поколения 2-нм GAA (Gate-All-Around) процесса, который будет использоваться в различных приложениях, включая будущие чипсеты Exynos.
Компания продолжает усиливать свою foundry-стратегию, и эксперты прогнозируют, что благодаря этим улучшениям Samsung сможет составить серьезную конкуренцию TSMC в ближайшие годы. Новый процесс, названный SF2P, является улучшением первого поколения 2-нм GAA, которое в настоящее время проходит этапы испытаний.
Согласно последнему отчету ZDNet, Samsung активно развивает свои foundry-операции, и массовое производство прототипа Exynos 2600 уже в процессе. Отделы LSI и полупроводников компании планируют достичь 50% выхода годных чипов в течение нескольких месяцев, что является хорошим показателем их прогресса. В случае успешных испытаний массовое производство второго поколения 2-нм GAA начнется в следующем году.
SF2P обещает несколько улучшений по сравнению с предыдущей версией. Samsung заявляет, что новая технология обеспечит повышение производительности на 12%, снижение потребления энергии на 25% и уменьшение площади на 8%. Если эти характеристики будут реализованы, это значительно улучшит возможности чипов компании и может привлечь интерес ведущих игроков в полупроводниковой отрасли.
Хотя в отчете не указываются конкретные заказчики, ходят слухи, что Qualcomm может стать ключевым клиентом. Ожидается, что Snapdragon 8 Elite Gen 2, специально разработанный для Galaxy S25, будет производиться на 2-нм GAA пластинах Samsung. Если это подтвердится, то Samsung может укрепить свою стратегию работы с двумя поставщиками, наряду с TSMC.
Несмотря на обещающие перспективы, компания сталкивается с жесткой конкуренцией, особенно с учетом амбициозных планов TSMC, включая выпуск 16-нм чипов на следующий год и уже достигнутую 90%-ную выходную способность для N2 SRAM. Смогут ли Samsung преодолеть эти трудности и стать настоящим конкурентом в индустрии foundry — покажет время.