SK hynix готовит к мобильному рынку новую «склейку» памяти и хранилища, которая может заметно ускорить ИИ прямо на устройствах. Речь о High Bandwidth Storage (HBS) — пакете, где DRAM и NAND складываются в общий стек и соединяются сверхкороткими проводниками по технологии Vertical Fan-Out (VFO). Если HBM стал реактивным топливом для серверных GPU, то HBS стремится стать экономичным турбонаддувом для смартфонов и планшетов.
Что такое HBS на практике
Идея проста: в одном корпусе собирается до 16 стеков DRAM и NAND, а VFO прокладывает связи не «дугами», как при обычном проволочном бондинге, а практически прямыми дорожками. Это уменьшает длину проводников, снижает потери и задержки сигнала и позволяет развести существенно больше линий ввода-вывода. Итог — заметно выше эффективная полоса и отзывчивость при перемещении данных между памятью и процессором.
Почему это важно для мобильного ИИ
Генеративные модели прожорливы не только к вычислениям, но и к пропускной способности. Им нужно быстро «стримить» параметры, контекстные окна, фичи с камеры и микрофона. Сегодняшняя связка LPDDR (оперативка) + UFS (хранилище) создаёт разрыв по скорости, из-за чего чип часто простаивает. HBS сближает DRAM-скорость и NAND-ёмкость внутри одного пакета: меньше перегонов туда-сюда, меньше «пробок», больше полезной работы — от локальных ассистентов и перевода речи до улучшенной обработки фото и видео в реальном времени.
VFO вместо TSV: про деньги и выход годных
Ключевой момент: в отличие от HBM, HBS не требует TSV — сквозных «микроскважин» в кристаллах. Отказ от TSV упрощает производство, повышает выход годных и удерживает себестоимость в рамках, приемлемых для массовых устройств. Сам пакет проектируется так, чтобы располагаться рядом с мобильным чипсетом на системной плате — без экзотики в трассировке.
Кто может оказаться первым
Официальных партнёров пока не называют, но логично смотреть на грядущие флагманские SoC. Ходят слухи про платформу уровня Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro с поддержкой LPDDR6 и UFS 5.0 — естественная кандидатура для эксперимента. Контроллер памяти должен будет грамотно расписать трафик: что держать в DRAM, что стримить с NAND, как кэшировать и предвыбирать данные. Выигрыш — более быстрый «ум камеры», шустрее офлайн-перевод и диктовка, заметно менее дерганые ассистенты.
Контекст: Apple и ставка на HBM
В экосистеме Apple, по сообщениям инсайдеров, параллельно изучают HBM с TSV для будущих устройств — подход с максимальной полосой, но и с высокой ценой/сложностью. HBS предлагает иную компромиссную траекторию: мост между памятью и хранилищем, который наращивает пропускную способность без TSV-налога и потенциально подходит для большего числа моделей, а не лишь для ультрапремиума.
Термалка, питание, безопасность
Любой плотный стек — это вопросы тепла и энергии. Понадобятся тонкие схемы управления питанием, аккуратная прошивка контроллера, умные алгоритмы предвыборки и сжатия, чтобы избежать «дребезга» данных. Также критичны защита и шифрование: кэши моделей, фото/аудио контент и персональные данные должны быть изолированы на аппаратном и программном уровнях. Тем не менее тренд очевиден: в мобильном ИИ узким местом становится не только TOPS, а именно перемещение данных, и HBS бьёт точно в это горлышко.
Итог
Если SK hynix доведёт HBS до серийной интеграции, нас ждёт новое поколение «настоящего» on-device AI без необходимости постоянно уходить в облако. Это может изменить стандарты производительности в камере, голосовых интерфейсах и мультимодальных сценариях — и при этом сохранить здравую экономику для производителей. И да, в заголовке это именно «буст», а не «бутсы» — хотя звучит почти так же громко.