Полупроводниковый кампус Samsung в Тейлоре (Техас) подбирается к главному рубежу — реальному запуску оборудования и выпуску кристаллов. Ключ к этому — ASML: без её систем экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии полноценное производство на 2-нм техпроцессе с транзисторами gate-all-around (GAA) попросту невозможно. С EUV и грамотной отладкой процессов Samsung способна перейти от пилотного этапа к стабильным объёмам для мобильных и AI-чипов.
Есть свежие признаки готовности к рывку. ASML открыла вакансии в районе Остина, включая инженера по сервисному сопровождению с прямой формулировкой: поддержка первоначального запуска EUV-оборудования Samsung. Для полупроводников такие объявления часто служат «маячками» сроков. Ввод EUV — это многоходовая операция: подготовка площадки и фундамент с виброизоляцией, квалификация энергоснабжения и газов, сертификация чистых комнат, поставка сканера по модулям, сборка, затем долгий цикл калибровок, настройки дозы и минимизации дефектов. Параллельно ASML формирует выделенную «тейлорскую» группу и отдельную полевую команду, которая тестирует системы ещё до отправки на площадку — это прямой намёк на финальную фазу монтажа и пусконаладки.
Почему такая спешка? Линия в Тейлоре нацелена на высокопроизводительные AI-чипы и другие передовые узлы, а первым серийным продуктом, по данным индустрии, должен стать Exynos 2600. Ранее сообщалось о старте ограниченного массового выпуска к концу сентября — примерно 15 тыс. пластин в месяц — на фоне работы над выходом годных. Так происходит всегда: передовые нормы начинают с малых объёмов, затем растут по мере снижения дефектности, стабилизации фоторезистных стеков и прогресса в совместной оптимизации дизайна и технологии (DTCO).
EUV — сердце «истории выхода годных». Излучение с длиной волны 13,5 нм позволяет упростить рисунок, где иначе потребовалась бы сложная многократная DUV-разбивка, снижая ошибки совмещения и вариативность процесса. Для GAA, где нанолисты должны быть вычерчены предельно точно, а затвор равномерно «обнимать» канал, цена каждой десятые нанометра — это ток, утечки и надёжность. Дополнительные EUV-сканеры повышают не только пропускную способность, но и расширяют окно процесса, делая массовое производство реально управляемым. Сюда же — улучшения пелликул, режимов экспозиции и алгоритмов контроля дефектов.
Ставки высоки и в бизнес-смысле. По сообщениям, Qualcomm получила на оценку образцы Snapdragon 8 Elite Gen 5, изготовленные по 2-нм GAA на мощностях Samsung. Если метрики по производительности, энергопотреблению и площади (PPA), а также по стабильности выходов окажутся на уровне, Qualcomm сможет вновь рассматривать Samsung как производственного партнёра, диверсифицируя заказы. Если же вывод годных затянется, проекты легко застрянут на стадии «evaluation». Отсюда — критичность скорой установки дополнительных машин ASML и постоянного присутствия их экспертов на площадке.
Для центрального Техаса эффект выходит за рамки одной фабрики. Действующая EUV-линия тянет за собой экосистему: поставщиков газов и химии, прецизионные компоненты, метрологию, а также рост кадровой базы — специалистов по литографии, вакуумным системам и чистоте. Каждый сканер требует регулярного сервиса, апгрейдов, улучшений пелликул и софта. Иными словами, после квалификации EUV начинается инерция, которую сложно остановить. Логично ждать, что Тейлор стартует с приоритетных дизайнов вроде Exynos 2600, а затем расширит портфель по мере «закалки» корнеров процесса и взросления библиотек.
Итог прост: формирование у ASML отдельной команды под Тейлор, плюс роли по предотгрузочным проверкам и явный акцент на пуск, означает переход от подготовки к исполнению. Когда сканеры будут валидированы, а окна процесса — расширены, Samsung ускорит выпуск на 2-нм GAA, укрепит дорожные карты в AI и мобильном сегменте и получит шанс на новые контракты. Следующий этап — не «щёлкнуть тумблером», а выстроить устойчивый ритм, превращающий техасский мегапроект в опорный элемент мировой цепочки передовых техпроцессов.